SI/PI Taiwan

最近同事們討論為何TDR量測尾巴會往上爬。 這是儀器有問題嗎? 其實這是「有損」傳輸線的正常表現。 [阻抗不是恆定值] 大家應該不陌生傳輸線阻抗Z0=sqrt[(R+jwL)/(G+jwC)]。 此公式在電抗>>電阻時，也就是jwL>>R，jwC>>G，簡化為更常用的Z0=sqrt(L/C)。 兩者的差異在於      Z0=sqrt(L/C)，阻抗Z0「不隨頻率改變」      Z0=sqrt(R+jwL/G+jwC)，阻抗Z0「隨頻率改變」 簡化定性來看      Z0=sqrt(R+jwL/G+jwC)在「極高頻」為Z0=sqrt(L/C)      Z0=sqrt(R+jwL/G+jwC)在「極低頻」為Z0=sqrt(R/G)，通常會較「大」      如下圖模擬結果，頻率降低，Z0不斷上升。 [TDR為何往上爬] 之前文章中已討論過[ TDR的原理 ], [ 傳輸線模型 ]。 TDR中的電壓源是用step function，而此時域函數乃由寬頻組成。 也就是說，TDR的「高頻」看到了一組Z0值，「低頻」看到了更大的另一組Z0值。 舉例65 ohm的傳輸線      高頻比較快反應，所以先看到了65ohm      接著看到低頻結果，慢慢地65->70->75ohm往上爬 這就是讓TDR量測尾巴往上爬的原因，是有損傳輸線的正常現象。 [控制TDR持平、往上、往下] 有趣的問題來了 TDR只能往上嗎? 可能是平的/甚至往下掉嗎? 理想傳輸線、超導體PEC、超低損介質TDR波型如何呢? 理想傳輸線Ideal T.L.      Z0=sqrt(L/C)，其中L和C不隨頻率改變，所以低頻時Z0和高頻相同，TDR為定值。      如下圖，阻抗恆定為64.4ohm。 PEC      R~0，Z0=sqrt(R/G)，所以低頻時Z0幾乎由分母G主導，反而會讓Z0下降。      如下圖，阻抗由63.1下降為61.9ohm。 超低損介質FR4Lossless      G~0，Z0=sqrt(R/G)，所以低頻時Z0分子R比分母G大的多，Z0上升更明顯。      如下圖，阻抗由65.5上升為77.2ohm。 一般傳輸線T.L.      金屬R和介質G本身也是頻率的函數，所以嚴謹地寫是Z0(f)=sqr[(R(f)+j

此篇延續[數 值電磁 - 電容模擬器自己寫 (part1/3) ], [ 數值電磁 - 電容模擬器自己寫 (part2/3) ] 用MATLAB寫一個計算電容的數值模擬器，此篇介紹邊界條件Boundary Condition。 1. 如何給電壓值 2. 如何模擬無限大free space [如何給電壓值] 我們知道電容C=Q/△V 若有兩個金屬，一個給1V，另一個給0V。 那麼金屬上會自然感應出電荷Q，而感應電荷的量越多，代表C越大。 那麼1V在模擬上是如何加在金屬上的呢? 前兩篇介紹到Laplace Equation。      -🜄²φ = 0 電壓=電位=φ。 常見電容模擬器會將整個金屬視為等電位。 所以模擬上金屬給1V，只要將整塊金屬的φ都強制設定為1V就可。 如下圖，藍色是金屬，其一金屬φ永遠是1(V)，另一金屬φ永遠是0(V)。 此類型又稱Dirichlet Boundary Condition [如何模擬無限大free space] 前兩篇介紹到Laplace Equation的有限差分型態。      φ(x,y) = (φ(x-h,y) + φ(x+h,y) + φ(x,y-h) + φ(x,y+h))/4 「x,y點的電位 = 左、右、上、下四個點電位的平均(相加再除4)。」 如下圖 剛我們已將中間的金屬強制給定電壓φ=1V或0V。 而其他空間φ(x,y)可由上式算出，由左、右、上、下四個點電位求得。 有趣的是邊界呢?    例如最左邊邊界φ(1,y)，已經沒有更左邊的電位可以用來算φ(1,y)。    例如最下邊邊界φ(x,1)，已經沒有更下的電位可以用來算φ(x,1)。 所以邊界上的φ是必經特別處理的，我們稱為邊界條件(Boundary Condition)。 一種邊界條件處理是不管他(不算他)，讓邊界φ維持為0。 其實仔細思考，這就等同於外面包著一塊0V的金屬(如同 [如何給電壓值] 剛剛描述)。 如下圖，整體架構變成3塊金屬，而最外面那圈的電壓為0v。 不難想像，整體電容值會更大，因為多了金屬到外圈的電容。 顯然把邊界φ維持為0不是個好主意，破壞了原本模擬的架構。 但更經常，我們想知道的是只有2塊金屬單純地放在空氣中(或介質)中。 問題就成為，我們如何用運算「有限大」空間，去得到「無限大」空間的結果。 一種近似方法是 floating

此篇延續[ 數值電磁 - 電容模擬器自己寫 (part1/3) ] 計算電容的數值模擬器，此篇延伸單一介質(homogeneous)至多種介質(non-homogeneous)。 如下圖，中間為方形金屬      上圖為單一介質      下圖為多種介質 主要參考文獻，University of Utah - 教授JR Nagel https://my.ece.utah.edu/~ece6340/LECTURES/Feb1/Nagel%202012%20-%20Solving%20the%20Generalized%20Poisson%20Equation%20using%20FDM.pdf 首先介紹相關方程 因為介電材料ε不再是單一常數，是會隨x,y改變的，所以寫成ε (x,y) 。 Maxwell Gauss law且source free       🜄·(ε(x,y)E) = 0...(1) 接著定義電位φ和E的關係       E = -🜄φ...(2) 將式(2)帶入式(1)       🜄·(ε(x,y)🜄φ(x,y)) = 0 拆解🜄成偏微分，且為了方便先只討論二維x,y      🜄ε(x,y)·🜄φ(x,y) + ε(x,y)🜄🜄φ(x,y) = 0     [(მ ε(x,y)/მx)*(მφ(x,y)/მx)] + [(მε(x,y)/მy)*(მφ(x,y)/მy)] + [ε(x,y)*(მ²φ/მx²+მ²φ/მy²)] = 0 採用「中央差分方」把討人厭的微分幹掉 且離散x,y為xx,yy，並把xy的mesh都設定成一樣大△x=△y=h       [( ε(xx+1,yy)-ε(xx,yy))/h * (φ(xx+1,yy)-φ(xx,yy))/h] +     [( ε(xx,yy+1)-ε(xx,yy))/h * (φ(xx,yy+1)-φ(xx,yy))/h] +     [ ε(xx,yy)*(φ(xx+1,yy)+φ(xx,yy+1)+φ(xx-1,yy)+φ(xx,yy-1)-4φ(xx,yy))/h²] =     0 接著把φ (xx,yy)整理到左邊     a0* φ(xx,yy) = a1*φ(xx,+1yy) + a2*φ(xx,yy+1) + a3*φ(xx-1,yy) + a4*φ(xx

此篇紀錄使用MATLAB自己寫一個電容模擬器。 利用數值電磁的方法，計算空間電位、空間電場、金屬上電荷、到最後到電容值。 並將計算結果對比商業3D模擬器，Cadence Clarity Capacitance、Ansys Q3D。 文章最後分享我所編寫的MATLAB程式碼。 主要參考文獻，瑞典皇家理工學院(KTH)Stefano Markidis教授的授課講義。 https://canvas.kth.se/files/1412425/download?download_frd=1 計算兩塊金屬之間的電容數值。 首先介紹相關方程 Maxwell Gauss law:        🜄·E = ρ/ε...(1) 接著定義電位φ和E的關係       E = -🜄φ...(2) 將式(2)帶入式(1)       🜄·(-🜄φ) = ρ/ε 若計算的φ空間是純介質(or空氣)，也就是source free(ρ=0), 得       -🜄²φ = 0...(3) 式(3)又稱為Laplace Equation。 接著介紹數值方法來算式子(3) 為了方便，用二維x,y帶入式子(3)       -🜄²φ = მ²φ/მx² + მ²φ/მy² = 0...(4) 採用「中央差分方」把討人厭的微分幹掉       მ²φ/მx² ⋍ (φ(x-△x) - 2*φ(x) + φ(x+△x)) /△x²       მ²φ/მy² ⋍ (φ(y-△y) - 2*φ(y) + φ(y+△y)) /△y² 上式中的△x和△y為xy方向的「mesh」，為了方便 ，把xy的mesh都設定成一樣大       △x=△y=h 帶入式(4)       -🜄²φ ⋍ (φ(x-h,y) + φ(x+h,y) + φ(x,y-h) + φ(x,y+h) - 4*φ(x,y))/h² = 0...(5) 接著介紹Jacobi Iteration來算式(5) 把φ(x,y)丟到左邊寫成       φ(x,y) = (φ(x-h,y) + φ(x+h,y) + φ(x,y-h) + φ(x,y+h))/4...(6) 式(6)是本文最核心的主角，數學有些討厭，用物理解釋式(6)就是:  「 x,y點的電位 = 左、右、上、下四個點電位的平均(相加再除4)。」 求解問題如下圖，同軸

         Take-away:  電容 器容值，和 「導體的幾何形狀」，「周圍的介電材料」相關。 電力線起於正電荷，終止於負電荷。 金屬互相越靠近，電容越大。 Maxwell電容矩陣有負號，SPICE電容矩陣沒有負號。 Maxwell電容矩陣、SPICE電容矩陣可互相轉換，GroundNet需定義清楚。 -----Start 電容器 杯子裝水       咖啡杯、馬克杯、大水桶，「容器幾何形狀」決定裝水大小。       但要給水龍頭，容器才有水儲存。 電容器裝電能       電容器C的大小取決於「導體的幾何形狀」，「周圍的介電材料」。       但要給電壓差在導體上，電容器才有電能儲存。       例如任意兩塊金屬靠近，但金屬不互相碰一起。       此兩塊金屬之間就能形成一個電容器，能存放電能(就像杯子能放水)。 C=Q/dV       兩塊金屬間給電壓差dV，感應出的電荷量Q，就是電容值大小。       將抽象能量具現化的秘訣就是「電力線起於正電荷，終止於負電荷」。       如下，畫出兩導體之間的電力線、正電荷、負電荷。 任意兩塊金屬之間都有電容器，有刻意設計和非刻意設計。 數量級 ●不刻意設計的Cap ~ pF        如信號pad/via寄生的Cap，兩訊號線之間的Cap， 50ohm傳輸線的對地容值Cap per inch 3pF。 ●刻意或不刻意設計PCB/PKG/DIE上的Cap ~ nF       如on-die cap, PCB/PKG Power Ground Plane Cap。 ●刻意設計的電容器元件Cap ~ uF       如MLCC, DIP cap。 NOTE: 電容 器容值，和 「導體的幾何形狀」，「周圍的介電材料」相關。 NOTE: 電力線起於正電荷，終止於負電荷。 平行板電容器 C = epsilon*A/d      epsilon為金屬周圍介電材料       A為平行板面積      d為平行板之間距離 透過公式，再次驗證C的大小和幾何形狀(A&d)相關。 此公式帶給我們重要觀念，當兩個金屬板靠很近(d很小)，電容器C越大。 電容器廠商，為了提高容值，就會研究如何精進製程，讓兩個金屬越近越好。 反過來，兩條信號線AB之間也有電容器，儘管不是刻意設計的。 但能量/訊號會透過電容器在

  -----Start 因為工作實在太忙碌了，上次更新此網站是一年半前了。 趁著聖誕假期，外國人休假去了，很開心可以再聊聊SI/PI。 一個PKG/PCB設計，從前期參數設計，post-layout電性驗證sign-off，完工後的debug。 這些都倚賴模擬來分析，可想像模擬的量只會越來越多。 以往1~2個模擬案件，工程師有機會純手動完成。 但若老闆要求做100個、甚至1000個模擬呢? 想必純手動非常困難了。 此篇介紹Cadence Sigrity系列自動化操作。 先前文章介紹過 Cadence PowerSI ，本文仍用PowerSI當作範例。 (如下圖) TCL編輯器 PowerSI切換至TCL Command window。 TCL就是一種程式語言，指令分為兩種      通用TCL command      Sigrity專用TCL command (如下圖) 通用TCL command 通用指令可至 TCL基本指令 查詢。 例如：HelloWorld(可複製貼上)      set test "hello world"      puts $test 執行結果 當然TCL語法也支持if, loop, for, array, logic...等各種基本語法。 例如：用for迴圈設定寬度1mm到9mm(可複製貼上)      for {set ii 1} {$ii<10} {incr ii 2} {           set TraceWidth $ii           puts TraceWidth={$TraceWidth}mm      } 執行結果 (如下圖) Sigrity專用TCL command 若想用TCL控制PowerSI的選項，例如設定線寬，該怎麼做呢? Cadence提供非常好用的「TCL錄製功能」，可直接將使用者操作翻譯成TCL。 先點選上方「Record TCL」，再點選「Show current TCL script」。 之後，使用者在PowerSI做的任何操作，都會被紀錄且翻譯成TCL啦~ 例如：我操作更改線寬100um再改為50um，相對應的SigrityTCL會自動產生。      sigrity::update Trace {Trace84} -Width {0.0001} -Endw

         Take-away:  MLCC壞掉會短路 ，務必注意 『額定電壓』& 『溫度特性』 。 『 操作DC電壓 』 越接近電容 『額定電壓』，容值越小。 電容尺寸越小，寄生電感越小，但容值上限也小。 高頻(20M~200MHz)可採用小尺寸MLCC電容(0201)、中頻(2M~20MHz)中尺寸MLCC電容(0402)、中低頻(0.1M~2MHz)中大尺寸MLCC電容(0603/0805) 。 -----Start 電容在電路板可做為『高頻率波器』、『訊號bypass路徑』、『電源穩壓』...等 本篇文章簡介『電源穩壓用』之『多層陶瓷電容』MLCC(multi-layer-ceramic-chip)，並採用MLCC大廠murata作為範例電容， murata網站連結 。 如何選擇MLCC? 『不能壞』『額定電壓』 某些種類電容壞掉時是開路，只會造成電性效能降低。  但MLCC壞掉是短路，此時已經不是效能差而已，是會對元件造成不可逆的損壞。 所以選擇MLCC第一步就是『不能壞』。 假如電源長時間操作在『95度C』、『5V』，那麼我們選用的電容一定要      MLCC參數中的『額定電壓』一定要大於5V，如選用6.3V or 10V。      MLCC參數中的『溫度特性』高溫範圍一定要大於95C，例如選用X6S or X7R。 『溫度特性』X7R EIA協會定義代號來描述MLCC溫度特性。 例如X7R，第一碼X表低溫至-55度C，第二碼7表高溫至125度C，第三碼R表容值±15%。 例如Y5S，第一碼Y表低溫至-30度C，第二碼5表高溫至85度C，第三碼S表容值±22%。 完整代碼表請見 連結 中的 Table2 。 我們可依據系統操作溫度來選擇對應MLCC，通常越高溫會讓容值下降，造成電性表現變差。MLCC容值變化vs溫度是個非線性關係，例如90度時電容下降5%、100度時電容下降8%。各家電容廠商的溫度vs容值曲線都會不同，但各家廠商能保證的是在操作溫度內，容值變異量要在EIA規範內，例如X7R就是125度C時電容下降要保證在15%內。 『溫度特性』C0G MLCC溫度特性中，代號C0G是個特別的類別(屬於EIA Class-I)，此種MLCC容值變化vs溫度有著非常線性且穩定的特質，穩定到可以拿來當溫度sensor。C0G比較少拿來當電源穩

-----Start 本篇介紹電源PDN電性模型extraction流程。 以flipchip BGA型態的IC封裝為例(PCB的PDN extraction流程也相似)。 目標觀察頻段為DC到2GHz。 選擇的工具是Cadence的PowerSI軟體。 PowerSI是一套非常強大的電性extraction軟體，推薦大家使用[ 連結 ]。 (如下圖) 讀取layout Power SI支援各家不同layout格式。 包含Cadence自家的mcm/brd/sip，或者Mentor的pads等。 (如下圖) 疊構設定，新增bump/BGA層 打開疊構編輯(stackup)。 PowerSI已自動帶入layout檔的設定，包含四層板、最上方&下方的solder mask層。 但實際上，flipchip BGA型態的IC封裝，封裝上方會有bump錫球(如紅色)，封裝下方會有BGA錫球(如綠色)。若要將這些效應考慮進來，那必須在『疊構上/下各新增一層』。 (如下圖) 新增bump/BGA模型by via Bump和BGA錫球，實際形狀是球形，模擬上常用圓柱形來等效球形。 PKG/PCB上，via過孔也剛好是圓柱形，所以我們可『用via來模擬bump/BGA 』。 接著建立via過孔物理形狀，例如BGA球的直徑是500um，所以建立一個直徑500um的via，層數由L4到最底層。bump也用同樣手法建立，位於L1到最上層。 (如下圖) 在layout上長出bump/BGA 剛剛我們已新增bump/BGA疊構，也建立了bump/BGA的via物理模型。 接下來要在原本沒有bump/BGA的layout上長出bump/BGA。 如step1~2，我們選取要長出bump的點，並在step3-5長出via(bump)。 注意在step4中，因為bump位於最上層和L1之間，所以操作上要 『先點選最上層Plane01一次，再點選L1 Signal$1一次』，這樣代表我們要新增via在這兩層之間。 最後透過3D view，可看到bump/BGA已建立。 (如下圖) 設定ports 在layout長出bump和BGA後，接著設置port。 我們目標是在bump上方/BGA下方建立port。 筆者的習慣是先在 『bump上方/BGA下方建立元件』，然後再generate port。